Theo PhoneArena, giống như Snapdragon 820 trước đó, Snapdragon 835 tiếp tục là kết quả của sự hợp tác giữa Qualcomm và Samsung. Snapdragon 835 sẽ được sản xuất trên tiến trình 10 nm FinFET của Samsung.
Điều này cho phép vi xử lý này có kích thước nhỏ hơn 30% nhưng lại có hiệu suất cao hơn 27% và sử dụng năng lượng hiệu quả hơn 40% so với chip Snapdragon 820 (vốn được sản xuất trên tiến trình 14nm).
Chip Snapdragon 835 hứa hẹn sẽ mang lại cú hích lớn cho Qualcomm vào năm 2017
"Công nghệ 10nm được kỳ vọng tạo ra sức mạnh lớn hơn, sử dụng năng lượng hiệu quả hơn, đồng thời cho phép chúng tôi thêm nhiều tính năng trong tương lai", Keith Kressin - phó giám đốc cấp cao quản lý sản phẩm của Qualcomm cho hay.
Bên cạnh Snapdragon 835, Qualcomm cũng giới thiệu phiên bản 4.0 mới của công nghệ sạc nhanh Quick Charge.
Theo thông tin từ nhà sản xuất, công nghệ sạc nhanh Quick Charge thế hệ mới sẽ có tốc độ sạc nhanh hơn 20%, hiệu suất cao hơn 30% và mát hơn 5 độ C so với Quick Charge 3.0.
Sự khác biệt giữa công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4.0 với phiên bản tiền nhiệm
Cụ thể, Quick Charge 4.0 có khả năng sạc từ 0 đến 50% pin chỉ trong vòng 15 phút. Ngoài ra, Quick Charge 4.0 cũng hỗ trợ các kết nối mới như USB Type-C và USB Power Delivery (USB-PD).
Qualcomm cũng nhấn mạnh rằng Quick Charge 4.0 được bổ sung thêm các biện pháp bảo vệ an toàn cho người dùng như giám sát điện áp, giám sát dòng điện và giám sát nhiệt độ với 4 mức cảnh báo.
Quick Charge 4.0 có khả năng sạc 5 phút cung cấp 5 giờ sử dụng
Ngoài ra, Quick Charge 4.0 cũng có khả năng tự động nhận biết loại và chất lượng của cáp sạc, một bước quan trọng để điều chỉnh dòng điện vào pin sao cho phù hợp.
Dự kiến, chip xử lý Snapdragon 835 và công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4.0 sẽ xuất hiện trên những mẫu smartphone cao cấp vào năm sau.
